发明名称 基于FPGA的多接口存储器验证系统
摘要 本发明公开了一种基于FPGA的多接口存储器验证系统,系统包括ARM模块和FPGA模块,两模块之间以总线方式连接,采用FPGA端模拟SRAM外部存储器方式,将FPGA内控制器逻辑映射到ARM内存中来提供数据和控制的访问接口;系统采用异步总线通讯方式,将ARM输出的异步控制信号、异步地址及数据信号同步到FPGA的内部时钟域中;系统存储器数据、控制接口统一采用存储器数据直接映射方式,使各存储器控制器IP核移植集成于系统中;数据访问接口以先进先出形式实现。本发明能灵活地支持最新接口类型的存储器,在最短的时间内对最新的存储器芯片进行测试、验证以及同时进行多种类型的芯片测试及演示,大大缩短了新型存储芯片投入实际使用的时间周期。
申请公布号 CN101770817A 申请公布日期 2010.07.07
申请号 CN201010022919.2 申请日期 2010.01.18
申请人 华东师范大学 发明人 韩定定;石山;钟慧敏;杨晓;葛勇;张立为
分类号 G11C29/56(2006.01)I 主分类号 G11C29/56(2006.01)I
代理机构 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人 徐筱梅
主权项 一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多接口存储器验证系统,其特征在于:a、系统包括高级精简指令集计算机模块(ARM模块)和现场可编程门阵列模块(FPGA模块),两模块之间以总线方式连接;采用FPGA端模拟SRAM外部存储器的方式,将FPGA内控制器逻辑映射到ARM内存中来提供数据和控制的访问接口;b、系统采用异步总线通讯方式,将ARM输出的异步控制信号、异步地址及数据信号同步到FPGA的内部时钟域中;c、系统存储器数据、控制接口统一采用存储器数据直接映射方式,使各存储器控制器IP核移植集成于系统中;数据访问接口以先进先出(FIFO)形式实现;其中:所述ARM模块为系统控制器并外设部分配置:同步动态随机存取存储器、Nand-flash内存、NOR Flash内存、通用异步接收/发送装置、USB主设备、USB设备、以太网接口、LCD接口及SD卡读卡器;所述FPGA模块内部的实现逻辑分为三层:与ARM接口的SRAM设备层、负责模块的控制、数据与寄存器映射的主控制器层以及存储器控制器层。
地址 200241 上海市闵行区东川路500号