功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明揭露一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包含基板、磊晶层、第一沟渠、第二沟渠、第一阱区、第二阱区及源极区域。磊晶层位于基板上方且具有第一导电型式的掺杂物。第一沟渠自磊晶层的上表面的第一区域向下延伸；第二沟渠自第一沟渠的底部向下延伸。第二沟渠的宽度是小于第一沟渠的宽度。第二阱区与第一阱区互相分离。第一阱区位于第一沟渠的底部及第二沟渠的底部且具有第二导电型式的掺杂物。第二阱区自上表面的第二区域向下延伸且具有第二导电型式的掺杂物。源极区域是位于第一阱区内且具有第一导电型式的掺杂物。

主权项

一种制造一功率金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包含下列步骤：(a)于一基板上成长一磊晶层，其中，该磊晶层具有一第一导电型式的掺杂物；(b)自该磊晶层的一上表面的一第一区域向下进行蚀刻以形成一第一沟渠；(c)于该第一沟渠内向下形成一第二沟渠，其中该第二沟渠的宽度是小于该第一沟渠的宽度；(d)布植具有一第二导电型式的掺杂物至该第一沟渠的底部及该第二沟渠的底部，以形成一第一阱区；(e)于该第二沟渠内形成一介电层；(f)于该第一沟渠内形成一栅极绝缘层；(g)于该第一沟渠内填入一导电材料以形成一栅极区域；(h)自该上表面相异于该第一区域的一第二区域向下形成具有该第二导电型式的掺杂物的一第二阱区，该第二阱区与该第一阱区互相分离；以及(i)于该第二阱区内形成一源极区域，其中该源极区域具有该第一导电型式的掺杂物。