发明名称 |
半导体芯片保护结构以及半导体芯片 |
摘要 |
一种半导体芯片保护结构,包括芯片保护环,所述芯片保护环形成于覆盖在半导体衬底表面的金属与介电层的叠层中,围绕被保护的芯片功能器件区域;所述半导体保护结构还包括隔离槽,所述隔离槽亦设置于金属与介电层的叠层中,且围绕被保护的芯片功能器件区域。本发明还提供了一种半导体芯片。本发明的优点在于,在传统保护环的基础上,引入了隔离槽结构,有效防止了由于传统保护环保护力度不够强而产生的剥离、裂纹等物理伤害,从而避免芯片内部的损伤,有效提高芯片成品率。 |
申请公布号 |
CN101770992A |
申请公布日期 |
2010.07.07 |
申请号 |
CN200810204831.5 |
申请日期 |
2008.12.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
胡健强;陈强;梁山安 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种半导体芯片保护结构,包括芯片保护环,所述芯片保护环形成于覆盖在半导体衬底表面的金属与介电层的叠层中,围绕被保护的芯片功能器件区域;其特征在于,所述半导体芯片保护结构还包括隔离槽,所述隔离槽亦设置于金属与介电层的叠层中,且围绕被保护的芯片功能器件区域。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江路18号 |