| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：i-GaN层(电子渡越层)、在i-GaN层(电子渡越层)上形成的n-GaN层(化合物半导体层)、在n-GaN层(化合物半导体层)上形成的源电极、漏电极和栅电极。在所述n-GaN层(化合物半导体层)的所述源电极与所述漏电极之间的区域内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有一凹入部分。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101771075A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910205387.3 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今田忠纮;山田敦史 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;陈昌柏 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；化合物半导体层，形成在所述电子渡越层上；以及源电极、漏电极以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||