| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层、以及具有包括蓝宝石材料的粗糙结构的多个化合物半导体层的层。 | ||
| 申请公布号 | CN101771123A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910261151.1 | 申请日期 | 2009.12.28 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 沈相均 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；和包括粗糙结构的多个化合物半导体层的层，所述粗糙结构包括蓝宝石材料。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||