| 发明名称 | 连接孔的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种连接孔的制作方法，所述制作方法包括提供阵列单元，所述阵列单元包括硅衬底、氧化硅衬垫层、阻挡层、介质层，所述阵列单元间隔形成有空隙；在所述阵列单元介质层上形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层、阻挡层、氧化硅衬垫层直至暴露出硅衬底，形成开口并暴露出所述的空隙；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀硅衬底直至去除部分的硅衬底层，在硅衬底中形成损伤层；去除光刻胶；沉积隔离层，在所述开口侧壁形成隔离侧墙；刻蚀隔离层直至暴露出损伤层，保留所述隔离侧墙；去除损伤层。本发明能够有效保护侧壁的氧化硅衬垫层不受后续步骤的各向异性软刻蚀和HF溶液预清洗连接孔腐蚀导致器件失效。 | ||
| 申请公布号 | CN101770976A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200810205390.0 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;邹立 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种连接孔的制作方法，其特征在于，包括：提供阵列单元，所述阵列单元包括硅衬底、氧化硅衬垫层、阻挡层、介质层，所述阵列单元间隔形成有空隙；在所述阵列单元介质层上形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀介质层、阻挡层、氧化硅衬垫层直至暴露出硅衬底，形成开口并暴露出所述的空隙；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀硅衬底直至去除部分的硅衬底层，在硅衬底中形成损伤层；去除光刻胶；沉积隔离层，在所述开口侧壁形成隔离侧墙；刻蚀隔离层直至暴露出损伤层，保留所述隔离侧墙；去除损伤层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||