| 发明名称 | 半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统，可预知地震的发生，防止晶舟倒塌，将损害抑制至最小限度。其中，地震损害扩散降低系统(27)具有，接收基于经通信线路(26)发送的初期微动的紧急地震信息的接收部(28)，或直接检测初期微动的初期微动检测部(60)；控制部(29)根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止半导体制造装置的运转的第一工序；和为了防止多层搭载被处理体的晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持晶舟的第二工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101150045B | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200710149484.6 | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菅原佑道;菊池浩 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种包括多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于，包括：接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息，或直接检测初期微动的工序；根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止所述半导体制造装置的运转的第一工序；和与该第一工序并行，为了防止多层搭载所述被处理体的所述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持所述晶舟的第二工序； | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||