用于形成液晶显示元件用配向膜的聚亚醯胺系清漆、配向膜以及具有该配向膜的液晶显示元件;POLYIMIDE BASED VARNISH LIQUID-CRYSTAL ORIENTED FILM, ORIENTEDED FILM USING SAID VARNISH, AND LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING SAID ORIENED FILM

摘要

提供一种可形成高单轴配向性之配向膜的聚亚醯胺系向剂清漆、使用该清漆之配向膜以及具有该配向膜且黑显示特性良好的液晶显示元件。用以形成液晶显示元件用配向膜的聚亚醯胺系清漆，可形成以式(1)所表示之液晶处理后配向指数△为1.3以上的配向膜。;式中，A ∥为入射具有平行于配向处理方向之偏光成分的红外光于配向膜时，因亚醯胺环之碳-氮伸缩震动的吸光度，A ⊥为入射具有垂直于配向处理方向之偏光成分的红外光于配向膜时，因亚醯胺环之碳-氮伸缩震动的吸光度，d为配向膜的膜厚(单位：奈米)。

主权项

1.一种聚亚醯胺系清漆，用于形成液晶显示元件之一配向膜，该聚亚醯胺系清漆可形成以式(1)所表示之液晶处理后配向指数△为1.3以上的配向膜，式中，A ∥为入射具有平行于配向处理方向之偏光成分的红外光于配向膜时，因亚醯胺环之碳-氮伸缩震动的吸光度，A ⊥为入射具有垂直于配向处理方向之偏光成分的红外光于配向膜时，因亚醯胺环之碳-氮伸缩震动的吸光度，d为配向膜的膜厚(单位：奈米)，该聚亚醯胺系清漆之高分子成分包括使用30莫耳%以上的从式1-1至式1-12各式所表示的四羧酸二酐中选出至少1种与式2-12与式2-39所表示之二胺而得到之可溶性聚亚醯胺或为其前趋物的聚醯胺酸，此处，下列式子中之n为1~20的整数。 ;2.如申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺系清漆，其中该聚亚醯胺系清漆之高分子成分更包括从至少一种的下列所表示之四羧酸二酐与至少一种下列所表示之二胺而得到之可溶性聚亚醯胺或为其前趋物的聚醯胺酸，此处，下列式子中之n为1~20的整数，R为氢原子或碳数为1~20的烷基，这些烷基中，任意的-CH2-亦可以以-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，环己烷以及苯环中任意的氢原子，亦可以卤素或碳数为1~5的烷基取代之。 ;3.如申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺系清漆，该液晶显示元件系藉由对基板的表面形成主要之平行电场而进行显示之横向电场式液晶显示元件。 ;4.如申请专利范围第2项所述之聚亚醯胺系清漆，该液晶处理后之配向指数△为1.5~10.0，其中，该液晶处理后之配向指数△系如申请专利范围第1项所述之式(1)。 ;5.如申请专利范围第2项所述之聚亚醯胺系清漆，该四羧酸二酐系从式1-13、式1-17、式1-18、式1-19、式1-20、式1-27、式1-28以及式1-29各式所表示的四羧酸二酐中选出至少1种。 ;6.如申请专利范围第2项所述之聚亚醯胺系清漆，该二胺系从式2-5、式2-6、式2-9、式2-10、式2-11、式2-13、式2-14、式2-15、式2-16、式2-17、式2-18、式2-19、式2-20、式2-30、式2-35、式2-40、式2-41、式2-42、式2-43以及式2-56各式所表示的二胺中选出至少1种，此处，这些式子中之n为2~10的整数，苯环中任意的氢原子亦可以卤素或碳数为2~5的烷基取代之。 ;7.如申请专利范围第1项所述之聚亚醯胺系清漆，该二胺系从式2-13、式2-14、式2-15、式2-16、式2-17、式2-18、式2-19以及式2-20各式所表示的二胺中选出至少1种，此处，这些式子中之n为2~10的整数，苯环中任意的氢原子亦可以卤素或碳数为1~5的烷基取代之。 ;8.一种配向膜，系使用申请专利范围第1项至第7项其中任一项所述之聚亚醯胺系清漆而形成，该配向膜厚度为10~500nm。 ;9.如申请专利范围第8项所述之配向膜，其配向处理系以绒毛押入量0.2~0.8毫米、平台移动速度5~250毫米/秒、转子旋转速度500~2,000rpm之条件进行摩擦处理。 ;10.一种横向电场式之液晶显示元件，包括：形成薄膜电晶体的第1透明基板；对面的第2透明基板；以及夹存于该第1透明基板与该第2透明基板之间的液晶，其中该第1透明基板具有如交互延伸的栉齿般而形成的画素电极以及共通电极，第2透明基板具有遮断画素以外之光的黑色矩阵、彩色滤光片以及平坦化膜，在该第1透明基板与该第2透明基板接触液晶的面上具有如申请专利范围第8项所述之配向膜。 ;11.一种横向电场式之液晶显示元件，包括：形成薄膜电晶体的第1透明基板；对面的第2透明基板；以及夹存于该第1透明基板与该第2透明基板之间的液晶，其中该第1透明基板具有如交互延伸的栉齿般而形成的画素电极以及共通电极，第2透明基板具有遮断画素以外之光的黑色矩阵、彩色滤光片以及平坦化膜，在该第1透明基板与该第2透明基板接触液晶的面上具有如申请专利范围第9项所述之配向膜。;图1是IPS用栉齿状电极结构图。