| 发明名称 | BCD集成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种BCD集成工艺，在局部氧化隔离步骤之后增加沟槽光刻步骤；对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极氧化层，并淀积多晶硅填充沟槽；对于BCD集成工艺中的双极型器件，在该沟槽光刻步骤形成的沟槽中填充钨形成双极型器件的集电区。本发明的BCD集成工艺可以成倍的提高DMOS和双极型晶体管的性能，最大程度的发挥BCD工艺的优点，而且附加的工艺步骤也较少。 | ||
| 申请公布号 | CN101764101A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200810207836.3 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 永福;龚大卫;陈雪萌;吕宇强 |
| 分类号 | H01L21/8248(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8248(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种BCD集成工艺，其特征在于，在局部氧化隔离步骤之后增加沟槽光刻步骤；对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极氧化层，并淀积多晶硅填充沟槽；对于BCD集成工艺中的双极型器件，在该沟槽光刻步骤形成的沟槽中填充钨形成双极型器件的集电区。 | ||
| 地址 | 200233 上海市虹漕路385号 | ||