| 发明名称 | 有机晶体管、有机晶体管阵列和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机晶体管，包括：衬底；以栅电极和栅极绝缘膜的顺序顺次形成在衬底上的栅电极和栅极绝缘膜；形成在至少栅极绝缘膜上的源电极、漏电极和有机半导体层。紫外线从没有栅电极的一侧照射到衬底，透过衬底和栅极绝缘膜，在栅电极上被反射，并在有机半导体层被吸收。已经吸收紫外线的有机半导体层的导电率低于没有吸收紫外线的有机半导体层的导电率。 | ||
| 申请公布号 | CN101765906A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200880100935.X | 申请日期 | 2008.10.17 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 油谷圭一郎;友野英纪;山贺匠 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王冉 |
| 主权项 | 一种有机晶体管，包括：衬底；以栅电极和栅极绝缘膜的顺序顺次形成在所述衬底上的栅电极和栅极绝缘膜；以及形成在至少所述栅极绝缘膜上的源电极、漏电极和有机半导体层，其中：紫外线从没有栅电极的一侧照射到所述衬底，透过所述衬底和栅极绝缘膜，在所述栅电极上被反射，并在所述有机半导体层上被吸收；以及已经吸收紫外线的有机半导体层的导电率低于没有吸收紫外线的有机半导体层的导电率。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||