| 发明名称 | 金属栅晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括至少一个位于衬底上的第一栅电介质层。第一含过渡金属碳氧化物(MCxOy)层形成在所述至少一个的第一栅电介质层上，其中过渡金属(M)原子的原子百分比是40at.％或者更高。第一栅形成在第一含过渡金属碳氧化物层上。至少一个第一掺杂区域形成在衬底中并且邻近所述第一栅的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN101764154A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910161762.9 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘重希;邱永昇;林正堂;余振华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永;马铁良 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：位于衬底上的至少一个第一栅电介质层；位于至少一个第一栅电介质层上的第一含过渡金属碳氧化物层(MCxOy)，其中过渡金属(M)的原子百分比大约是40at.％或更高；位于第一含过渡金属碳氧化物层上的第一栅；以及位于衬底中并且邻近第一栅侧壁的至少一个第一掺杂区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||