贴合晶片的制造方法

摘要

本发明是一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其中，将剥离接合晶片后的贴合晶片，利用臭氧水洗净后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理。由此，提供一种贴合晶片的制造方法，是使用离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，能除去由于离子注入所造成的损伤，并在没有损及剥离后的贴合晶片的表面粗度的情况下，抑制凹状缺陷的发生。

主权项

一种贴合晶片的制造方法，是至少将接合晶片与成为支撑基板的基底晶片接合，该接合晶片具有根据气体离子的注入而形成的微小气泡层，并将前述微小气泡层作为边界来剥离接合晶片，而在基底晶片上形成薄膜的根据离子注入剥离法来制造贴合晶片的方法，其特征在于：将剥离前述接合晶片后的贴合晶片，进行利用臭氧水来洗净的第一工序之后，在含有氢气的气氛下，进行急速加热和急速冷却处理的第二工序，接着，在氧化性气体气氛下，进行热处理，而在前述贴合晶片的表层上形成热氧化膜后，进行除去该热氧化膜的第三工序，之后，在非氧化性气体气氛下，进行热处理的第四工序。