发明名称 | 形成超薄可控的金属硅化物的方法 | ||
摘要 | 本发明属于微电子器件技术领域,具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层,金属层向硅衬底扩散,除去硅衬底表面剩余金属,退火,形成金属硅化物薄层等步骤,沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度,硅衬底的离子注入预处理,沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高,且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结,也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。 | ||
申请公布号 | CN101764058A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
申请号 | CN200910247379.5 | 申请日期 | 2009.12.31 |
申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;罗军;朴颖华;葛亮;张世理;仇志军 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
主权项 | 一种形成厚度可控的金属硅化物的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)在硅衬底上沉积一薄层金属,该金属向沉底进行扩散;(2)去除沉底表面剩余的金属;(3)进行退火,形成金属硅化物薄层;其中,步骤(1)和步骤(2)重复一次或多次,或者步骤(1)、步骤(2)和步骤(3)重复一次或多次,直到金属硅化物薄层的最终厚度达到预期的要求为止;上述步骤中,硅衬底上沉积的金属为镍、钴、钛或铂;沉积时的衬底温度0~300℃内选择,退火温度为200℃~900℃;金属硅化物层的最终厚度为2~20nm。 | ||
地址 | 200433 上海市邯郸路220号 |