发明名称 多功能离子束复合处理系统
摘要 本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统,包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置,真空室连接真空泵,离子注入装置安装在真空室上部,真空室内部设有样品台,样品台位于离子注入装置下方;离子注入装置包括气体离子源和金属离子源,磁控溅射装置为磁控溅射靶,磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源,金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部,金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体,磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子,也可以在注入气体离子的时候,还可以外加注入金属离子,从而既提高了沉积速度,又可以增加改性层厚度。
申请公布号 CN201517129U 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN200920199384.9 申请日期 2009.10.29
申请人 中国计量学院 发明人 张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 杭州赛科专利代理事务所 33230 代理人 王桂名;余华康
主权项 一种多功能离子束复合处理系统,其特征在于:所述复合处理系统包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置,真空室连接真空泵,离子注入装置安装在真空室上部,真空室内部设有样品台,样品台位于离子注入装置下方;所述的离子注入装置包括气体离子源和金属离子源,所述的磁控溅射装置为磁控溅射靶,磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源,金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部,金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。
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