发明名称 |
多功能离子束复合处理系统 |
摘要 |
本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统,包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置,真空室连接真空泵,离子注入装置安装在真空室上部,真空室内部设有样品台,样品台位于离子注入装置下方;离子注入装置包括气体离子源和金属离子源,磁控溅射装置为磁控溅射靶,磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源,金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部,金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体,磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子,也可以在注入气体离子的时候,还可以外加注入金属离子,从而既提高了沉积速度,又可以增加改性层厚度。 |
申请公布号 |
CN201517129U |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN200920199384.9 |
申请日期 |
2009.10.29 |
申请人 |
中国计量学院 |
发明人 |
张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
杭州赛科专利代理事务所 33230 |
代理人 |
王桂名;余华康 |
主权项 |
一种多功能离子束复合处理系统,其特征在于:所述复合处理系统包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置,真空室连接真空泵,离子注入装置安装在真空室上部,真空室内部设有样品台,样品台位于离子注入装置下方;所述的离子注入装置包括气体离子源和金属离子源,所述的磁控溅射装置为磁控溅射靶,磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源,金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部,金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号 |