| 发明名称 | 双大马士革工艺中的灰化处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明中公开了一种双大马士革工艺中的灰化处理方法，该方法包括：在双大马士革工艺中，使用二氧化碳气体流进行灰化处理。通过使用上述的方法，可以在使用双大马士革工艺进行蚀刻时，不会降低low-k材料或ultralow-k材料的介电常数k，因此不会对半导体元件的性能造成不利的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101764080A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200810207675.8 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙武;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 一种双大马士革工艺中的灰化处理方法，其特征在于，该方法包括：在双大马士革工艺中，使用二氧化碳气体流进行灰化处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||