| 发明名称 | 一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选用ZnO或Si或GaAs或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到10-4Pa，衬底温度到400℃，(2)加热反应室使其温度为400～1000℃，生长压强为40～60Torr，在衬底表面沉积ZnO缓冲层，然后在ZnO缓冲层上沉积B、N、Zn、O材料，形成Zn1-x-yBxNyO层，0.03≤x≤0.13，0.03≤y≤0.13，制备成B和N共掺杂ZnO薄膜。本发明的共掺杂B和N的ZnO薄膜表现出更好的p型特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101760726A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910214541.3 | 申请日期 | 2009.12.31 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 孙慧卿;邓贝;王雨田;郭志友;陈鹏;孔利平 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 何淑珍;廖继海 |
| 主权项 | 一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选用ZnO或Si或GaAs或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到10-4Pa，衬底温度到400℃，(2)加热反应室使其温度为400～1000℃，生长压强为40～60Torr，在衬底表面沉积ZnO缓冲层，然后在ZnO缓冲层上沉积B、N、Zn、O材料，形成Zn1-x-yBxNyO层，0.03≤x≤0.13，0.03≤y≤0.13，制备成B和N共掺杂ZnO薄膜。 | ||
| 地址 | 510631 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 | ||