插塞结构的制作方法和插塞结构

摘要

本发明提供一种插塞结构的制作方法和插塞结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体器件层和半导体器件层上的具有通孔的金属前介质层；在包括通孔内部的金属前介质层的表面上形成钨种子层；在所述钨种子层上形成钨诱导层，所述钨诱导层的晶粒尺寸大于所述钨种子层；在所述钨诱导层上形成钨膜层，该钨膜层将通孔内部填充；平坦化通孔外的金属前介质层的表面，形成插塞结构。所述方法形成钨膜层之前，先在钨种子层之上形成具有较大晶粒尺寸的钨诱导层，而后再在钨诱导层上形成的钨膜层也具有较大的晶粒尺寸，因而晶界较少，对电子运动的散射减少，能够提高电子迁移率，降低电阻率，无须后续的退火工艺便能够形成具有较低电阻的钨插塞。

主权项

一种插塞结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体器件层和半导体器件层上的具有通孔的金属前介质层；在包括通孔内部的金属前介质层的表面上形成钨种子层；在所述钨种子层上形成钨诱导层，所述钨诱导层的晶粒尺寸大于所述钨种子层；在所述钨诱导层上形成钨膜层，该钨膜层将通孔内部填充；平坦化所述通孔外的金属前介质层的表面，形成插塞结构。