发明名称 |
用于生产含SiO<sub>2</sub>的芯片用绝缘层的硅化合物 |
摘要 |
本发明涉及一种制备含SiO2的芯片用绝缘层以及用于该目的的特定前体的应用。本发明还涉及可以这种方式获得的绝缘层,以及用这种绝缘层获得的芯片。 |
申请公布号 |
CN101748383A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200910174943.5 |
申请日期 |
2004.12.22 |
申请人 |
德古萨公司 |
发明人 |
E·米;H·劳勒德;H·克莱因;J·蒙基维茨;I·萨沃普洛斯 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吕彩霞;李连涛 |
主权项 |
一种生产含SiO2的芯片用绝缘层的方法。其中至少一种下述硅化合物被用作前体:烷基烷氧基硅烷,烷基芳基烷氧基硅烷,芳基烷氧基硅烷,C1-和C3-C5-烷基原硅酸酯,具有乙二醇基团的原硅酸酯,具有聚醚基团的原硅酸酯,氢烷氧基硅烷,氢芳氧基硅烷,烷基氢硅烷,烷基氢烷氧基硅烷,二烷基氢烷氧基硅烷,芳基氢硅烷,芳基氢烷氧基硅烷,乙酰氧基硅烷,硅氮烷,硅氧烷,具有至少一个乙酰氧基、叠氮基、氨基、氰基、氰氧基、异氰酸根合或酮肟根合基的有机官能硅烷,含至少一个杂环的有机官能硅烷,其中硅原子可位于杂环本身上或与杂环共价键合,至少上述两种硅化合物的混合物,以及四乙氧基硅烷与至少上述一种硅化合物的混合物。 |
地址 |
德国杜塞尔多夫 |