发明名称 |
像素结构 |
摘要 |
本发明提供一种像素结构,包括一扫描线、一数据线、一栅极、位于栅极上方的一半导体图案、一源极、一漏极以及电连接漏极的一像素电极。扫描线以及数据线彼此交错并电绝缘。栅极、源极分别连接至扫描线与数据线。源极与漏极均至少部分位于半导体图案上。漏极包括一环绕源极的梳型部以及一连接部。梳型部的至少一分支延伸至栅极之外以定义出位于栅极之外的至少一凸出部。连接部由梳型部延伸至栅极外。凸出部与连接部分别位于栅极的相对两侧。凸出部与栅极边界切齐处具有一第一宽度,连接部与栅极边界切齐处具有一第二宽度,第一宽度实质上等于第二宽度。 |
申请公布号 |
CN101750826A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200910265417.X |
申请日期 |
2009.12.28 |
申请人 |
深超光电(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳智忠 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
丁建春;陈华 |
主权项 |
一种像素结构,其特征在于:该像素结构包括:一扫描线以及一数据线,彼此交错并且电绝缘;一栅极,电连接至该扫描线;一半导体图案,位于该栅极上方;一源极,至少部分位于该半导体图案上并连接至该数据线;一漏极,至少部分位于该半导体图案上,该漏极包括:一梳型部,环绕该源极,该梳型部具有至少两分支,该分支中的至少一个延伸至该栅极之外以定义出位于该栅极之外的至少一凸出部;一连接部,由该梳型部延伸至该栅极外,且该凸出部与该连接部分别位于该栅极的相对两侧,其中该凸出部与该栅极边界切齐处具有一第一宽度,该连接部与该栅极边界切齐处具有一第二宽度,该第一宽度等于该第二宽度;以及一像素电极,电连接该漏极。 |
地址 |
518100 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路北深超光电科技园A栋首层 |