| 发明名称 | 快闪存储器件及其编程/擦除方法 | ||
| 摘要 | 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101751997A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910226570.1 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔东郁;崔正达;李忠浩;许星会;刘民胎 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行，n是等于或大于2的自然数；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟单元晶体管连接；第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；和电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||