用于高K金属栅极Vt调制的N/P金属晶体定向

摘要

本发明提供了一种集成电路。该集成电路包括：半导体基板，具有第一区域和第二区域；第一区域中的n型场效应晶体管(FET)的第一栅极堆叠；以及第二区域中的p型FET的第二栅极堆叠。第一栅极堆叠包括半导体基板上的高k介电层、在高k介电层上沿第一定向的第一晶体金属层以及在第一晶体金属层上的导电材料层。第二栅极堆叠包括半导体基板上的高k介电层、在高k介电层上沿第二定向的第二晶体金属层以及在第二晶体金属层上的导电材料层。

主权项

一种集成电路，包括：半导体基板，具有第一区域和第二区域；n型场效应晶体管(FET)的第一栅极堆叠，在所述第一区域中，所述第一栅极堆叠包括：高k介电层，在所述半导体基板上；第一晶体金属层，在所述高k介电层上，所述第一晶体金属层具有第一定向；和导电材料层，在所述第一晶体金属层上；以及p型FET的第二栅极堆叠，在所述第二区域中，所述第二栅极堆叠包括：高k介电层，在所述半导体基板上；第二晶体金属层，在所述高k介电材料层上，所述第二晶体金属层具有第二定向；和导电材料层，在所述第二晶体金属层上，其中，沿所述第一定向的所述第一晶体金属层具有比沿所述第二定向的所述第二晶体金属层的第二功函低的第一功函。