一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法

摘要

本发明公开了一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法，包括：高掺杂的P++衬底准备；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的单条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。

主权项

一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法，该方法包括：制备高掺杂的P++衬底；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的单条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管。