发明名称 一种藤仓赤霉的电穿孔遗传转化方法
摘要 本发明提供了一种利用电穿孔(electroporation)技术对藤仓赤霉(Gibberalla fujikuroi)进行外源基因的遗传转化方法:利用真菌细胞壁降解酶对赤霉菌的细胞壁进行处理,得到原生质体并进行纯化,纯化的原生质体和适量外源基因/脱氧核糖核酸(DNA)水溶液进行混合,然后利用电穿孔仪对混合液进行电击处理,电击处理的原生质体可以吸纳外源DNA,从而实现了外源DNA对赤霉菌的遗传转化。本发明的有益效果体现在:可以用于藤仓赤霉的分子生物学研究,如研究该菌对水稻的致病分子机制以及该菌的生长发育机制等;可以用来对赤霉菌实施基因工程从而进行遗传改良育种,提高赤霉素的合成能力。
申请公布号 CN1995362B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200610155561.4 申请日期 2006.12.28
申请人 浙江工业大学 发明人 朱廷恒;王渭霞;汪琨;崔志峰;裘娟萍
分类号 C12N15/87(2006.01)I;C12N1/15(2006.01)I 主分类号 C12N15/87(2006.01)I
代理机构 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人 黄美娟;袁木棋
主权项 一种藤仓赤霉的电穿孔遗传转化方法,其特征在于所述的方法按如下步骤进行:1)将藤仓赤霉原生质体用1M山梨醇溶液A悬浮,以显微镜检查计数,调整原生质体液的原生质体浓度为107-108/mL;2)用于转化的外源DNA溶于无菌去离子水至浓度为5~10μg/ul,每100ul原生质体液中加入10~15μgDNA,混匀,冰浴30~40min成混合液;3)在预冷的电击杯中加入步骤2)所得混合液,冰浴5~10min后,用电穿孔仪进行电击,电击参数:电压为850V,电容为25μF,电阻为250Ω;4)电击后电击杯中加入浓度为1M的山梨醇溶液B,冰浴30min~1h,悬浮后涂布于MYG固体再生培养基平板,28℃培养12h后,于再生平板上覆盖含与所述外源DNA相应的抗生素终浓度50μg/mL的软琼脂MYG再生培养基,在28℃培养至转化子出现;所述的山梨醇溶液B溶液中含有10mM Tris-Cl,50mM CaCl2,且pH7.5;所述的MYG固体再生培养基终浓度为:麦芽糖5g/L;酵母膏5g/L;葡萄糖10g/L;琼脂粉15g/L;蔗糖0.5mol/L;pH6.5;所述软琼脂MYG再生培养基终浓度为:麦芽糖5g/L;酵母膏5g/L;葡萄糖10g/L;琼脂粉8g/L;pH6.5;5)转化子在含与所述外源DNA相应的抗生素终浓度100μg/mL的软琼脂MYG再生培养基上继代培养,稳定生长后保存,所述软琼脂MYG再生培养基终浓度为:麦芽糖5g/L;酵母膏5g/L;葡萄糖10g/L;琼脂粉8g/L;pH6.5。
地址 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区