| 发明名称 | 开关装置、可重写逻辑集成电路和存储器装置 | ||
| 摘要 | 根据本发明的开关装置包括：包含氧化钛的离子传导层(23)；以与离子传导层(23)相接触的方式提供的第一电极(21)；和以与离子传导层(23)相接触的方式提供的第二电极(22)，并且该第二电极(22)可以向离子传导层(23)提供金属离子。 | ||
| 申请公布号 | CN101385154B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200780005061.5 | 申请日期 | 2007.02.06 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 井口宪幸 |
| 分类号 | H01L49/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 一种开关装置，包括经过至少一层离子传导层所层压的第一电极和第二电极，从所述第二电极或从在所述第二电极和所述离子传导层之间提供的离子供应层向所述离子传导层馈送金属离子，并且所述金属离子沉淀在所述离子传导层中作为将所述第一和第二电极电连接在一起的金属，沉淀的所述金属溶解进入所述离子传导层以将所述第一和第二电极相互电断开，其中，所述离子传导层包含氧化钛。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||