发明名称 一种发光二极管的芯片结构
摘要 本发明涉及发光二极管的芯片结构,该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层,所述的钝化层叠置于电流扩展层之上,所述的电流扩展层上至少设置有一个孔,钝化层通过该孔与外延层接触到一起;本发明通过在电流扩展层上设置至少一个孔,暴露出处延片表面使之与覆盖其上的钝化层形成更可靠的接触,从而保护电流扩展层与处延层之间的良好接触,该发光二极管的制作工艺方便,可显著改善芯片电流扩展和提高发光二极管的封装合格率和可靠性。
申请公布号 CN101752479A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810218305.4 申请日期 2008.12.09
申请人 深圳世纪晶源华芯有限公司 发明人 吴大可;朱国雄;张坤
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管的芯片结构,该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层,所述的钝化层叠置于电流扩展层之上,其特征在于:所述的电流扩展层上至少设置有一个孔,钝化层通过该孔与外延层接触到一起。
地址 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源)