发明名称 |
一种发光二极管的芯片结构 |
摘要 |
本发明涉及发光二极管的芯片结构,该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层,所述的钝化层叠置于电流扩展层之上,所述的电流扩展层上至少设置有一个孔,钝化层通过该孔与外延层接触到一起;本发明通过在电流扩展层上设置至少一个孔,暴露出处延片表面使之与覆盖其上的钝化层形成更可靠的接触,从而保护电流扩展层与处延层之间的良好接触,该发光二极管的制作工艺方便,可显著改善芯片电流扩展和提高发光二极管的封装合格率和可靠性。 |
申请公布号 |
CN101752479A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200810218305.4 |
申请日期 |
2008.12.09 |
申请人 |
深圳世纪晶源华芯有限公司 |
发明人 |
吴大可;朱国雄;张坤 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管的芯片结构,该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层,所述的钝化层叠置于电流扩展层之上,其特征在于:所述的电流扩展层上至少设置有一个孔,钝化层通过该孔与外延层接触到一起。 |
地址 |
518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) |