非易失性存储阵列和闪速EEPROM阵列

摘要

公开了一种非易失性存储阵列和闪速EEPROM阵列。一种闪速EEPROM阵列，包括：其中具有第一浮置栅电极的第一行EEPROM单元，和在其中具有第二浮置栅电极的第二行EEPROM单元。该第一浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向第一方向的第一浮置栅电极的第一L形部分。第二浮置栅电极包括至少一个水平部分和至少一个垂直部分，其共同限定朝向与第一方向相反的第二方向的第二浮置栅电极的第二L形部分。

主权项

一种非易失性存储阵列，包括：半导体衬底；第一行非易失性存储单元，其中包括具有第一不对称横断截面的浮置栅电极；以及第二行非易失性存储单元，紧邻所述第一行非易失性存储单元延伸，所述第二行非易失性存储单元其中包括具有第二不对称横断截面的浮置栅电极，当相对于所述半导体衬底的法线旋转180°时，该第二不对称横断截面示为等同于第一不对称横断截面。