| 主权项 |
一种薄膜电晶体阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，该基板上已形成有多个第一多晶矽岛状物、多个第二多晶矽岛状物、多个第三多晶矽岛状物、一闸绝缘层、多个第一闸极、多个第二闸极、多个第三闸极与一第一保护层，其中该基板具有一周边区与一阵列区，而该些第一多晶矽岛状物与该些第二多晶矽岛状物位于该周边区上，且该些第三多晶矽岛状物位于该阵列区上，该闸绝缘层覆盖住该些第一多晶矽岛状物、该些第二多晶矽岛状物与该些第三多晶矽岛状物，该些第一闸极、该些第二闸极与该些第三闸极分别位于该些第一多晶矽岛状物、该些第二多晶矽岛状物以及该些第三多晶矽岛状物上方之该闸绝缘层上，该第一保护层覆盖该些第一闸极、该些第二闸极与该些第三闸极，且各该第二多晶矽岛状物内已形成有一第二源极/汲极，而各该第三多晶矽岛状物内已形成有一第三源极/汲极，该些第二多晶矽岛状物与该些第三多晶矽岛状物内已植入有离子；利用一第三半调式光罩在该第一保护层上形成一第三图案化光阻层，其中该第三图案化光阻层暴露出该些第一多晶矽岛状物上方之该第一保护层之部分区域；以该第三图案化光阻层为遮罩进行一第一离子植入制程，以于各该第一多晶矽岛状物内形成一第一源极/汲极，其中该第一源极/汲极之间即是一第一通道区；移除该第三图案化光阻层之部分厚度，以暴露出该些第二多晶矽岛状物与该些第三多晶矽岛状物上方之该第一保护层之部分区域；以该第三图案化光阻层为遮罩移除部分该第一保护层与该闸绝缘层，以暴露出各该第一源极/汲极之部分、各该第二源极/汲极之部分与各该第三源极/汲极之部分，并形成一第一图案化保护层；移除该第三图案化光阻层；在该第一图案化保护层上形成多个第一源极/汲极导体层、多个第二源极/汲极导体层与多个第三源极/汲极导体层，其中该些第一源极/汲极导体层分别与该些第一源极/汲极电性连接，而该些第二源极/汲极导体层分别与该些第二源极/汲极电性连接，且该些第三源极/汲极导体层分别与该些第三源极/汲极电性连接；在该第一图案化保护层上形成一第二图案化保护层，其中该第二图案化保护层暴露出各该第三源极/汲极导体层之部分；以及在该第二图案化保护层上形成多个画素电极，其中各该画素电极与相对应之该第三源极/汲极导体层电性连接。 |
