发明名称 | 蚀刻后晶圆的清洗方法 | ||
摘要 | 一种蚀刻后晶圆的清洗方法,首先提供一基底,基底上已依序形成有蚀刻终止层、介电层及图案化的金属硬罩幕层,图案化的金属硬罩幕层定义出介电层中的开口,且开口暴露出部分蚀刻终止层。接着,在通入氦气的环境中进行一个乾式蚀刻制程,以移除开口所暴露的蚀刻终止层。然后,以氮气及氢气的混合气体作为反应气体,对晶圆表面进行一个乾式清洗制程。接下来,以含有微量氢氟酸的清洗溶液对晶圆表面进行一个湿式清洗制程。 | ||
申请公布号 | TWI326465 | 申请公布日期 | 2010.06.21 |
申请号 | TW096103662 | 申请日期 | 2007.02.01 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林苗均;翁正明;黄俊仁 |
分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | 一种蚀刻后晶圆的清洗方法,包括:提供一基底,该基底上已依序形成有一蚀刻终止层、一介电层及一图案化的金属硬罩幕层,该图案化的金属硬罩幕层定义出该介电层中的一开口,且该开口暴露出部分该蚀刻终止层;在通入氦气的环境中进行一乾式蚀刻制程,以移除该开口所暴露的该蚀刻终止层,且在该乾式蚀刻制程中形成沈积在该基底表面的一聚合物及一氟化金属;以 气及氢气的混合气体作为反应气体,对该晶圆表面进行一乾式清洗制程,该乾式清洗制程软化该聚合物并移除部份该聚合物;以及以含有微量氢氟酸的一清洗溶液对该晶圆表面进行一湿式清洗制程,该湿式清洗制程移除该聚合物及该氟化金属。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |