电子装置用材料及其制造方法

摘要

本发明提供一种电子装置用材料，其特征为：至少包含电子装置用基材，与配置于该基材上之氧氮化矽膜者；且上述氧氮化矽膜在该氧氮化矽膜之厚度方向，调查根据SIMS(二次离子质谱仪)分析的氮含量分布时，在氧氮化膜表面附近含多量氮原子。藉由上述结构即可制得包含比氧化矽膜具有优越的硼穿透抑制效果且具有优越的闸泄漏电流特性之氧氮化矽膜的电子装置用材料。

主权项

一种藉由电浆氮化处理基板之方法，其包含下述步骤：准备于其上含一氧化膜之上述基板；以及使用含氩气与氮气之混合气体，以0.5至2.0eV之电子温度之电浆照射上述氧化膜而形成一氮氧化膜；其中该电浆系于250至500℃之温度下及7至260Pa之压力下照射；于上述氮氧化膜中之氮原子含量分布为：于该氧氮化矽膜之与面向基板之表面相对之表面侧之该氧氮化矽膜中氮原子含量最大值Ns为10至40原子%、于面向基板之表面侧之该氧氮化矽膜中氮原子含量最大值Nb为0至10原子%；且Ns/Nb之比值为2以上。