发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode eines Feldeffekttransistors mit verringertem Gatewiderstand
摘要
申请公布号 DE10056873(B4) 申请公布日期 2010.06.17
申请号 DE20001056873 申请日期 2000.11.16
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 HORSTMANN, MANFRED;STEPHAN, ROLF;WIECZOREK, KARSTEN;KRUEGEL, STEPHAN
分类号 H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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