发明名称 |
低阻传输线接收前置放大器 |
摘要 |
本发明公开了低阻传输线接收前置放大器,至少包括两个用作源随器的PMOS管和两个用作放大器的NMOS管,或者两个用作源随器的NMOS管和两个用作放大器的PMOS管,用于对输入信号进行升压或者降压;还包括四个尾电流源ib1、ib2、ib3、ib4,四个尾电流源大小相等,值为Ib,根据输出端Out_p、Out_n连接的负载大小进行调整;MOS管的跨导相同,得到放大器接收的最小差分电压为|VTHP-VTHN|/2;在工作的时候,由于差分信号是交替变化的,用于放大的MOS管会在截止、饱和放大和线性区三种状态下切换工作,正是由于有截止和线性区工作,使前置放大器功耗降低到只有普通前置放大器功耗的1/3以下。 |
申请公布号 |
CN101741332A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910216680.X |
申请日期 |
2009.12.10 |
申请人 |
四川和芯微电子股份有限公司 |
发明人 |
向建军;岳兆强 |
分类号 |
H03G5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H03G5/22(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
低阻传输线接收前置放大器,其特征在于:至少包括两个用作源随器的PMOS管和两个用作放大器的NMOS管,或者两个用作源随器的NMOS管和两个用作放大器的PMOS管,用于对输入信号进行升压或者降压;至少包括四个尾电流源ib1、ib2、ib3、ib4,四个尾电流源大小相等,值为Ib,根据两个输出端Out_p、Out_n连接的负载大小进行电流调整;根据MOS管电流公式:I=1/2UCOXW/L(VGS-VTH)2,在饱和状态下四个MOS管流过的电流相同,将MOS管的跨导设计相同,前置放大器接收的最小差分电压为|VTHP-VTHN|/2。其中:U为载流子迁移率,PMOS管沟道中空穴载流子迁移率为Up,而NMOS管沟道下电子载流子迁移率为Un;Cox为单位面积栅氧化层电容;W为PMOS或NMOS管的沟道宽度;L为PMOS或NMOS管的沟道长度;VGS为PMOS或NMOS管的栅极于源极之间的静态电压差;VTH为PMOS或NMOS管各自对应的阈值电压。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼402室 |