高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于N型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层，在P型阱内设有P型杂质注入区且该P型杂质注入区位于薄栅氧化层的下面。本发明还公开了高压N型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；具有较好的兼容性。

主权项

一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有P型阱(3)和N型漂移区(2)，在P型阱(3)上设有P型接触孔(6)、N型源(5)及场氧化层(71)，在N型漂移区(2)上设有N型漏(4)及场氧化层(72)，在P型阱(3)、N型漂移区(2)及部分P型衬底(1)的上方设有栅氧化层且该栅氧化层位于N型源(5)与N型漂移区(2)上的场氧化层(72)之间，在栅氧化层上设有多晶硅栅(8)且该多晶硅栅(8)延伸至N型漂移区(2)上的场氧化层(72)上，在P型阱上的场氧化层(71)、P型接触孔(6)、N型源(5)、多晶硅栅(8)、N型漂移区(2)上的场氧化层(72)及N型漏(4)上设有氧化层(9)，在N型漏(4)、N型源(5)及P型接触孔(6)上分别连接有金属引线，其特征在于位于P型阱(3)上方的栅氧化层部分的厚度小于位于N型漂移区(2)上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层(12)和厚薄栅氧化层(10)，在P型阱(3)内设有P型杂质注入区(11)且该P型杂质注入区(11)位于薄栅氧化层(12)的下面。