磁阻效应元件的制造方法

摘要

本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的具有隔层的CCP结构的磁阻效应元件的制造方法中，该隔层形成时，形成第一金属层，在该第一金属层上形成可变换为该绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将该第二金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的该金属层，在通过该第一变换处理所形成的该绝缘层和该金属层上形成可变换为该绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将该第三金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的金属层。

主权项

一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，其特征在于，当形成所述隔层时，形成第一金属层，在所述第一金属层上形成变换为所述绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将所述第二金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的金属层，在通过所述第一氧化或氮化处理所形成的所述绝缘层和所述金属层上形成变换为所述绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将所述第三金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的金属层。