| 发明名称 | 一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法。现有技术中的第一阶段抛光依据所检测到的抛光终点终止抛光，从而使整个抛光过程难以控制而出现过抛凹陷及腐蚀或被抛光层残留等抛光性能不佳的问题。本发明的可提高抛光性能的化学机械抛光方法包括第一阶段和第二阶段抛光，该第一阶段抛光的压力大于第二阶段抛光，该方法先统计得出第一阶段和第二阶段抛光的总时间；然后将第一阶段抛光的时间设定为该总时间的60％至80％，且依照所设定的时间进行第一阶段抛光；最后进行第二阶段抛光且检测其抛光终点，在检测到抛光终点时停止第二阶段抛光。本发明可大大提高抛光过程的可控性，从而避免出现过抛凹陷及腐蚀或被抛光层残留等抛光性能不佳的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101376232B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710045481.8 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法，用于去除被抛光层以使晶圆平坦化，该方法包括第一阶段抛光和第二阶段抛光，其中，该第一阶段抛光的压力大于第二阶段抛光，其特征在于，该可提高抛光性能的化学机械抛光方法包括以下步骤：(1)统计得出第一阶段抛光和第二阶段抛光的总时间；(2)将第一阶段抛光的时间设定为该总时间的60％至80％，且依照所设定的时间进行第一阶段抛光；(3)进行第二阶段抛光且检测其抛光终点，在检测到抛光终点时停止第二阶段抛光。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||