| 发明名称 | 薄膜器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜器件及其制造方法。以优良的再生性和良率，在廉价的玻璃基板或轻质且具有柔性的诸如PET的树脂基板上形成具有优良特性的氧化物半导体TFT，该TFT可以用作显示器的驱动元件。通过向氧化物半导体照射脉冲光，可以在玻璃基板或诸如PET的树脂基板上形成质量优良的氧化物半导体膜。这使得可以以优良的再生性和良率制造出具有优良特性的薄膜器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101740635A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910222829.5 | 申请日期 | 2009.11.19 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 中田充;竹知和重 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/428(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种薄膜器件，所述薄膜器件使用在基板上沉积的氧化物半导体膜作为有源层，其中所述氧化物半导体膜是受脉冲光照射的非晶氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||