发明名称 |
固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备 |
摘要 |
固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。该固态成像装置,包括:基板;在基板的深度方向上布置在基板中的多个光电二极管;垂直的读出栅电极,用于读取所述光电二极管中的信号电荷,所述垂直的读出栅电极嵌入在基板中使得该读出栅电极在基板的深度方向上延伸;暗电流抑制区域,其覆盖所述读出栅电极的底部和侧表面,所述暗电流抑制区域包括在所述读出栅电极的侧表面上具有均匀厚度的第一导电型半导体区域;以及读沟道区域,其布置在第一导电型半导体区域与所述光电二极管之间,所述读沟道区域包括第二导电型半导体区域。 |
申请公布号 |
CN101740592A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910212024.2 |
申请日期 |
2009.11.06 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
高桥洋 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N3/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
一种固态成像装置,包括:基板;在基板的深度方向上布置在基板中的多个光电二极管;垂直的读出栅电极,用于读取所述光电二极管中的信号电荷,所述垂直的读出栅电极嵌入在基板中使得该读出栅电极在基板的深度方向上延伸;暗电流抑制区域,其覆盖所述读出栅电极的底部和侧表面,所述暗电流抑制区域包括在所述读出栅电极的侧表面上具有均匀厚度的第一导电型半导体区域;以及读沟道区域,其布置在第一导电型半导体区域与所述光电二极管之间,所述读沟道区域包括第二导电型半导体区域。 |
地址 |
日本东京 |