发明名称 | 具有高度光取出率的半导体发光元件 | ||
摘要 | 本发明公开一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的半导体发光元件包含基板、多层结构、最顶层以及至少一个电极。该多层结构形成于该基板上并且包含发光区。该最顶层形成于该多层结构上,并且该最顶层的侧壁的下部分呈现第一表面形态,该第一表面形态与第一图案相关。此外,该最顶层的侧壁的上部分呈现第二表面形态,该第二表面形态与第二图案相关。该至少一个电极形成于该最顶层上。因此,根据本发明的半导体发光元件,其侧壁呈现表面形态,因此能增加侧边光取出的表面积,以提高半导体发光元件的光取出效率。 | ||
申请公布号 | CN101295757B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
申请号 | CN200710100968.1 | 申请日期 | 2007.04.28 |
申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 王伟凯;林素慧;施文忠 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郭晓东 |
主权项 | 一种制造一半导体发光元件的方法,包含下列步骤:(a)制备一基板;(b)形成一多层结构于该基板上,该多层结构包含一发光区;(c)形成一最顶层于该多层结构上;(d)形成一蚀刻阻抗层,该蚀刻阻抗层大体上覆盖该最顶层,致使该最顶层的边界外露,该蚀刻阻抗层的边界呈现一第一图案;(e)蚀刻该最顶层的该外露的边界;(f)移除该蚀刻阻抗层;以及(g)于该最顶层上形成至少一个电极;其中该最顶层的侧壁呈现一与该第一图案相关的表面型态。 | ||
地址 | 中国台湾台中市 |