发明名称 像素结构
摘要 本发明提供一种像素结构,每一像素区具有位于第一子像素区中的第一像素单元与位于第二子像素区中的第二像素单元;共用配线越过第一与第二子像素区,并具有位于第二子像素区内的第一共用电容区的第一共用电极部;第一像素单元的第一电容电极位于共用配线下方并电性连接第一主动元件,且自第一子像素区延伸至第一共用电容区,并与第一共用电极部重迭构成第一延伸电容。第二像素单元的第二像素电极与第二主动元件电性连接,第二像素电极与第一共用电极部重迭构成第二储存电容,且第二储存电容与第一延伸电容堆迭地设置于第一共用电容区中。
申请公布号 CN101738804A 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200910249590.0 申请日期 2009.12.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 蔡孟哲;陈东煌
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种像素结构,设置于一基板上,以于所述基板上定义出复数个像素区,且每一所述像素区具有一第一子像素区以及一第二子像素区,所述第二子像素区具有一第一共用电容区,包括:一第一扫描线、一第二扫描线、一第一数据线以及一第二数据线;一共用配线,越过第一子像素区与所述第二子像素区,且所述共用配线具有一第一共用电极部,设置于所述第一共用电容区;一第一像素单元,包括一第一主动元件、一第一电容电极以及一第一像素电极,其中所述第一主动元件电性连接于所述第一扫描线以及所述第一数据线,所述第一像素电极位于所述第一子像素区内,电性连接所述第一主动元件,所述第一电容电极配置于所述共用配线的下方,电性连接所述第一主动元件,且所述第一电容电极包括:一第一电容电极部,所述第一像素电极经由所述第一电容电极部而与所述第一主动元件连接;以及一第一延伸电极部,自所述第一电容电极部延伸至所述第一共用电容区,使得所述第一延伸电极部与所述第一共用电极部重迭构成一第一延伸电容;一第二像素单元,包括一第二主动元件以及一第二像素电极,其中所述第二主动元件电性连接于所述第二扫描线以及所述第二数据线,所述第二像素电极位于所述第二子像素区内,并与所述第二主动元件电性连接,所述第二像素电极与所述第一共用电极部重迭构成一第二储存电容,且所述第二储存电容与所述第一延伸电容堆迭地设置于所述第二子像素区的所述第一共用电容区中。
地址 中国台湾新竹市