| 发明名称 | 一种OLED显示器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种OLED显示器件的制备方法，首先在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；接着在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；然后在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nm NPB空穴传输层；在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，再采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极；最后采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101740727A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910254481.8 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | 彩虹集团公司 | 发明人 | 张志刚;俞敏 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 朱海临 |
| 主权项 | 一种OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)在洁净的ITO导电玻璃基板上制备ITO阳极图形；(2)在制备好ITO阳极图形的导电玻璃基板上，采用磁控溅射工艺制备厚度为0.1-10nm的ZnSe缓冲层；(3)在ZnSe缓冲层上采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为10-50nmNPB空穴传输层；(4)在NPB空穴传输层上，采用真空蒸镀工艺蒸镀厚度为50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层，其中Zn(BTZ)2为主体发光材料、NPB及Rubrene为掺杂材料；(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2发光层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀厚度分别0.1-5nm和40-100nmLiF层和Al层，制成阴电极；(6)采用封装盖板对已制好各层进行整体封装，完成OLED显示器件制备。 | ||
| 地址 | 710021 陕西省咸阳市彩虹路1号 | ||