高压工作场效应晶体管、其偏置电路以及高压电路

摘要

通过利用IC或LSI的标准功率电源电压的晶体管的组成部分，或者利用其制造工艺，在IC或LSI中形成高压工作场效应晶体管。为了提高场效应晶体管的工作电压，采取这样的措施：设置其电位分布根据漏极电位而变化的栅极。

主权项

高压电路，包括：高压工作场效应晶体管，所述高压工作场效应晶体管至少包括：衬底；在衬底表面内设置的半导体沟道形成区；源区和漏区，用源区和漏区之间的半导体沟道形成区互相隔开；在半导体沟道形成区上设置的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上设置的电阻性栅极；在该电阻性栅极的源区末端侧设置的源极侧电极，以及在该电阻性栅极的漏区末端侧设置的漏极侧电极，其中将信号电位供给所述源极侧电极；以及偏置电路，为所述漏极侧电极提供其偏置电位的绝对值等于或大于给定电位的绝对值且根据漏极电位的增大或减小而改变的偏置电位。