埋栅太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种埋栅太阳能电池的制造方法，采用化学腐蚀的方法形成沉积埋栅电极所需要的沟槽；通过在沟槽内填充包括Ag、掺杂源和玻璃料的自掺杂浆料，并加热到845℃以上，进行烧结，浆料中的玻璃料可以烧透SiN减反射层，使浆料直接与下层Si接触，在界面处Ag使Si溶化为液体，当温度降低时，一方面部分Si溶入Ag中形成Ag-Si接触，降低了接触电阻；另一方面Si重新晶化，使掺杂源扩散进入Si晶格中，形成重掺杂深扩散区，制成埋栅电极，简化了生产工艺，降低了生产成本。

主权项

一种埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：A、在基片正面形成用于制作埋栅电极的沟槽；B、在所述基片正面沉积减反射层；C、在所述沟槽内填充自掺杂浆料，所述自掺杂浆料包括颗粒形态的Ag、液体形态的掺杂源和玻璃料；D、将步骤C之后的基片进行加热烧结，形成所述埋栅电极。