隐蔽型发射极硅太阳电池

摘要

隐蔽型发射极硅太阳电池，属于将太阳光转换为电能的半导体器件，特别是背接触硅太阳电池。本发明提供了该太阳电池的结构采用双极性晶体管(n/p/n)结构，正面n扩散区是发射极，p型基体是基极，背面n扩散区是集电极。该电池完全去除了正表面的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来收集载流子，并传递到背面的发射区电极上，提高了光生电流的密度，从而提高了电池的效率。由于正负电极都安装在电池背面，简化了光伏组件的封装，使自动化生产更容易实现。

主权项

隐蔽型发射极硅太阳电池，其特征是正面发射区(2)和背面局部发射区(3)通过重磷扩散的激光穿孔(1)相互连接，电池背面(6)间隔排列与p型电极区域连接的正电极(5)和与n型电极区域连接的负电极(4)。