发明名称 新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块
摘要 本实用新型公开了一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子,基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合,基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC),每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。本实用新型具有兼容性好,应用的电流范围大,生产成本低的特点。
申请公布号 CN201508835U 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200920116978.9 申请日期 2009.04.02
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 刘志宏;金晓行;姚礼军;张宏波;沈华
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 沈志良
主权项 一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块,包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子,基板和直接敷铜基板通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板,每块直接敷铜基板都由门极、集电极和发射极组成。
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