| 发明名称 |
介电体陶瓷组合物、电子元件、以及该组合物与元件之制造方法 |
| 摘要 |
具有组成式[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示，该式中表组成莫耳比之记号x、y、z、m系0.5≦x≦1.0，0.01≦y≦0.10，0<z≦0.20，0.90≦m≦1.04之介电体氧化物，氧化锰，氧化铝以及烧结助剂的介电体陶瓷组合物之制造方法，其特征为使用含有以SiO2为主要成分，更含MO(其中M系Ba、Ca、Sr及Mg之至少1种)之第1玻璃组合物，以及含B2O3、Al2O3、ZnO及SiO2而构成，平均粒径1.5μm以下之第2玻璃组合物的烧结助剂，制造介电体陶瓷组合物。根据本发明可以提供，于低温煅烧亦无损于各种电特性，可得致密化之介电体陶瓷组合物的介电体陶瓷组合物之制造方法。 |
| 申请公布号 |
TWI326092 |
申请公布日期 |
2010.06.11 |
| 申请号 |
TW093137351 |
申请日期 |
2004.12.03 |
| 申请人 |
ＴＤＫ股份有限公司 |
发明人 |
佐佐木洋;丹羽康夫;渡边松巳 |
| 分类号 |
H01G4/12 |
主分类号 |
H01G4/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
一种介电体陶瓷组合物之制造方法，系具有组成式[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]所示，该式中表组成莫耳比之记号x、y、z、m为0.5≦x≦1.0，0.01≦y≦0.10，0<z≦0.20，0.90≦m≦1.04之介电体氧化物，氧化锰，氧化铝以及烧结助剂的介电体陶瓷组合物之制造方法，其特征为提供以SiO2为主要成分，更含MO(其中M系Ba、Ca、Sr及Mg之至少1种)的第1玻璃组合物；提供含B2O3、Al2O3、ZnO及SiO2而构成，平均粒径1.5μm以下之第2玻璃组合物的烧结助剂；至少将该第2玻璃组合物，与为得介电体氧化物而准备之起始原料混合，并准备反应前原料，反应该反应前原料，以获得含反应完原料的介电体陶瓷组合物原料之步骤，以及将所得的介电体陶瓷组合物原料于1250℃以下之煅烧温度煅烧，制造介电体陶瓷组合物之步骤。 |
| 地址 |
日本 |
