| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une utilisation d'une source de vapeur (10) dans un système fermé isotherme (8) pour contrôler la cristallisation ou la recristallisation d'un échantillon de matière solide (9), initialement au moins en partie amorphe et/ou au moins en partie cristalline, contenu dans le système fermé (8), ladite source de vapeur (10) comprenant au moins un solvant de cristallisation de ladite matière solide, dont la diffusion de vapeur (14) entraine la cristallisation ou la recristallisation de l'échantillon (9), ladite source de vapeur (10) étant telle que les quantités de chaleurs échangées au sein du système pendant la cristallisation ou la recristallisation de l'échantillon (9) autres que la chaleur de cristallisation ou de recristallisation de l'échantillon sont inférieures à environ 10%, notamment 5%, avantageusement 1% de la chaleur de cristallisation ou de recristallisation de l'échantillon. De préférence, la source de vapeur (10) est un solvant pur ou un mélange de solvant dans lequel aucun soluté n'est dissout.</p> |
