| 发明名称 | 消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二、可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三、可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。 | ||
| 申请公布号 | CN101724910A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910232185.8 | 申请日期 | 2009.12.02 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陆海;石宏彪;修向前;陈鹏;张荣;郑有炓 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 王玉梅 |
| 主权项 | 一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，其特征在于将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||