| 发明名称 | 配线结构和配线结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种配线结构和配线结构的制造方法，其不仅能够获得与硅的欧姆接合而且可以抑制元素向硅中扩散。本发明的配线结构(1a)具备硅层(10)、设置于硅层(10)上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层(20)和设置于基底层(20)上的铜层(30)，Mn在包括硅层(10)和基底层(20)的界面的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。 | ||
| 申请公布号 | CN101728357A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910139400.X | 申请日期 | 2009.05.21 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 辰巳宪之;外木达也 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1345(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种配线结构，其具备硅层、设置于所述硅层上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层和设置于所述基底层上的铜层，通过使Mn在包括所述硅层和所述基底层之间的界面在内的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||