| 发明名称 | 集成电路的结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路结构至少包含：一基材衬底；一穿透硅通道，延伸进入所述衬底中；一金属线，位于所述穿透硅通道上，其中所述金属线与所述穿透硅通道至少包含相同的材料且形成一连续区域；以及一覆盖层，位于所述金属线上，其中所述覆盖层和所述金属线具有共同的界限。 | ||
| 申请公布号 | CN101325166B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810085722.6 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄宏麟;苏竟典;曾立鑫;郑嘉仁;游秀美 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，至少包含：一基材衬底；一穿透硅通道，延伸进入所述衬底中；一金属线，位于所述穿透硅通道上，其中所述金属线与所述穿透硅通道至少包含相同的材料且形成一连续区域；以及一覆盖层，位于所述金属线上，其中所述覆盖层和所述金属线具有共同的界限。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||