场效应晶体管的外延层及其制造方法

摘要

本发明公开了一种场效应晶体管的外延层及其制造方法，涉及半导体芯片技术领域。解决了现有技术存在制造方法比较复杂、工艺难度较大，导致场效应晶体管的制造效率比较低的技术问题。该场效应晶体管的外延层，包括设于漏极的衬底之上的第一外延层，第一外延层上还设有至少一层第二外延层，第一外延层以及第二外延层均包含有掺杂元素，第二外延层的掺杂元素的浓度大于第一外延层。该场效应晶体管的外延层的制造方法，包括以下步骤：采用外延生长法在漏极上的衬底之上形成包含有掺杂元素的第一外延层；采用外延生长法在第一外延层上形成至少一层包含有掺杂元素且掺杂元素的浓度大于第一外延层的第二外延层。本发明应用于提高场效应晶体管的制造效率。

主权项

一种场效应晶体管的外延层，包括设于漏极上的衬底之上的第一外延层，其特征在于：所述第一外延层上还设有至少一层第二外延层，所述第一外延层以及所述第二外延层均包含有掺杂元素，所述第二外延层内掺杂元素的浓度大于所述第一外延层。