低分布剖面倒装功率模块及制造方法

摘要

本发明提供一种功率模块，用于封装具有倒装功率MOSFET器件的电子系统。该功率模块包括正面覆盖板和键合到该正面覆盖板上的多层印刷电路板。尤其是，所述印刷电路板的正面包括多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有印刷电路迹线。在凹嵌口内设置键合到该印刷电路迹线的功率MOSFET和其他电路元件。由于电路元件被包围在功率模块内，因此该功率模块具有低分布剖面，增强的机械坚固性和屏蔽EMI/RFI的特征。另外，一些电路元件可以配备也被键合到正面覆盖板的正面键合层以实现与功率模块内部的双面键合。本发明也提供了该低分布剖面功率模块的制造方法。

主权项

一种低分布剖面功率模块，其特征在于，该低分布剖面功率模块包括：导电的正面覆盖板；多层印刷电路板，该多层印刷电路板进一步包括多个经键合的印刷电路层，每一个印刷电路层在其上都具有电路形成装置，该多层印刷电路板实体导电键合到所述正面覆盖板；以及所述多层印刷电路板沿其正面进一步包括：a)多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有电路形成装置；b)位于多个凹嵌口内的多个电路元件，每个电路元件都具有背面元件键合装置，该背面元件键合装置导电键合到位于凹嵌口底面上的所述电路形成装置；由此，该低分布剖面功率模块以低分布剖面，经增强的机械坚固性和对电磁干扰，包括射频干扰的屏蔽包围所述多个电路元件；所述多个电路元件中的至少一个元件进一步包括正面元件键合装置，该正面元件键合装置导电键合到所述正面覆盖板，即所述至少一个电路元件是垂直型器件。